2019 Q2 Hynix sal die tweede generasie 10nm-prosesgeheue produseer

  SK hynix het onlangs onthul dat die maatskappy sy eerste generasie vervaardigingsproses van 10 nanometer (dws 1X nm) se DRAM-produksie gaan verhoog, en dat sy tweede generasie vervaardigingstegnologie van 10 nanometer (ook bekend as 1Y nm) sal begin verkoop in die tweede helfte van die jaar. Geheue. Deur die oorgang na 10nm-tegnologie te versnel, kan die maatskappy die DRAM-uitset verhoog, en uiteindelik die koste verlaag en voorberei op die volgende generasie geheue.

Die eerste produkte wat met SK Hynix 1Y nm-produksietegnologie vervaardig word, is die 8 GB DDR4-3200 geheueskyfie. Volgens die vervaardiger kan dit die chipgrootte van 8 Gb DDR4-toestelle met 20% verminder en die kragverbruik met 15% verminder vergeleke met soortgelyke toestelle wat vervaardig word met die vervaardigingstegnologie van 1X nm. Boonop het SK hynix se komende 8 Gb DDR4-3200-chip twee belangrike verbeterings: 'n 4-fase klokskema en Sense-versterkerbeheertegnologie.

Alhoewel hierdie tegnologieë hierdie jaar selfs belangrik is vir DDR4, word gesê dat SK hynix sy 1Y nm-vervaardigingsproses sal gebruik om DDR5, LPDDR5 en GDDR6 DRAM te vervaardig. Daarom moet Hynix sy tweede generasie vervaardigingstegnologie van 10 nanometer so gou moontlik opgradeer om voor te berei vir die toekoms.